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反射式数字全息显微镜DHM-Rlynceetec
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| 型号 | R1000, R2100, R2200 |
|---|---|
| 激光光源 | 1(R1000), 2(R2100), 3(R2200) |
| 工作波长 | 666nm, 794nm, 680nm |
| 测量模式 | 单激光波长666nm (R1000), 单激光波长666nm,双激光合成波长4.2μm(R2200), 单激光波长666nm,双激光合成波长4.2μm, 双激光合成波长24μm(R2200) |
| 测量精度[nm] | 0.15 (R1000), 0.15/3.0(R2100), 20(R2200) |
| 纵向分辨率[nm] | 0.3(R1000), 0.30/6.0(R2100), 40(R2200) |
| 测量可重复性[nm] | 0.01(R1000), 0.01/0.1(R2100), 0.5(R2200) |
| 动态可测纵向范围 | 最大200μm |
| 最大可测台阶高度 | 最大333nm(R1000), 最大2.1μm(R2100), 最大12μm(R2200) |
| 适用样品表面类型 | 平滑表面(R1000), 复杂或非连续结构表面(R2100,R2200) |
少子寿命测试仪 WCT-120测试硅片
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| 测量原理 | QSSPC（准稳态光电导） |
|---|---|
| 少子寿命测量范围 | 100 ns-10 ms |
| 测试模式 | QSSPC，瞬态，寿命归一化分析 |
| 电阻率测量范围 | 3–600 (undoped) Ohms/sq. |
| 注入范围 | 1013-1016cm-3 |
| 感测器范围 | 直径40-mm |
| 标准直径 | 40–210 mm（或更小尺寸） |
| 硅片厚度范围 | 10–2000μm |
| 工作温度 | 20°C–25°C |
| 功率 | 测试仪： 40 W ，电脑控制器：200W ，光源：60W； |
| 通用电源电压 | 100–240 VAC 50/60 Hz |
| 重量 | 1kg |
少子寿命测量仪 BCT-400测试硅锭
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| 可以测量的样品的表面类型 | 表面为平的硅块样品（BCT-400）, 表面不平整的硅块样品（BLS-I）, 不平整弧度的直径可达150mm |
|---|---|
| 重复频率 | ＞25次/s |
| 脉冲宽度 | ＞60μs |
| 光脉冲关断时间 | ＜1μs |
| 工作波长 | 1.06-1.09μm |
| 脉冲电流 | 5A～20A |
| 可测量的少子寿命范围 | 0.1μs-10ms |
| 可测量的电阻率范围 | 0.5-300ohm.cm |
| 可施加的用于修正陷阱的偏执光范围 | 0-50suns |
| 光源光谱 | 白光和红外光 |
| 感应器的面积 | 45cm×45cm |
| 可测量深度 | 3mm |
