显示所有 7 结果
随着光波波前探测技术的发展,各种波前传感器应运而生,从测量原理上可以分成两类:一类是根据几何光学原理,测定波前几何象差或面形误差;另一类是基于干涉测量原理,探测波前不同部分的干涉性,来获取波前信息,主要有剪切干涉仪波前传感器和相位获取传感器等。波前传感器用于波前信息探测,光束质量评价,光学元件检测和激光大气通信及人眼像差测量等各个领域,也广泛地应用于自适应光学系统之中。
波前分析仪
ALPAO波前传感器
评分 0 / 5
In stock
| 型号 | SH-CMOS, SH-CMOS fast, SH-sCMOS, SH-EMCCD, SH-EMCCD fast, SH-InGaAs fast, SH-sCMOS UV |
|---|---|
| 工作波长 | 900-1700nm, 400-800nm, 200-800nm |
| 采样点 | 50×50(SH-CMOS), 64×64(SH-CMOS fast), 64×64(SH-sCMOS), 16×16(SH-EMCCD), 24×24(SH-EMCCD fast), 64×64(SH-InGaAs fast), 64×64(SH-sCMOS UV) |
| 透镜间距 μm | 96.6(SH-CMOS), 112(SH-CMOS fast), 114(SH-sCMOS), 192(SH-EMCCD), 240(SH-EMCCD fast), 120(SH-InGaAs fast), 144(SH-sCMOS UV) |
| 采样频率 Hz | 119(SH-CMOS), 1733(SH-CMOS fast), 514(SH-sCMOS), 1025(SH-EMCCD), 2067(SH-EMCCD fast), 697(SH-InGaAs fast), 514(SH-sCMOS UV) |
| 最快频率 | 449(SH-CMOS), 37123(SH-CMOS fast), 2377(SH-sCMOS), 2392(SH-EMCCD), 2067(SH-EMCCD fast), 9590(SH-InGaAs fast), 2377(SH-sCMOS UV) |
| SNR=1 光子数/帧/子孔径 | 67%(SH-CMOS), 50%(SH-CMOS fast), 73%(SH-sCMOS), 95%(SH-EMCCD), 95%(SH-EMCCD fast), 80%(SH-InGaAs fast), 80%(SH-sCMOS UV) |
| 倾斜/离焦 μm, PV | 65/15(SH-CMOS), 96/24(SH-CMOS fast), 150/37(SH-sCMOS), 13/3(SH-EMCCD), 45/11(SH-EMCCD fast), 108/27(SH-InGaAs fast), 150/37(SH-sCMOS UV) |
| 重复性 nm RMS | 2 |
Phasics Kaleo MTF测试平台Phasics
评分 0 / 5
In stock
| 光学设置 | 有限到无限配置 |
|---|---|
| 工作波长 | 400-1100nm, 3-5μm, 8-14μm, 900-1700nm |
| 入瞳直径 | 8.8mm |
| F# | >1.8mm |
| 法兰焦距 | 8-30mm |
| 焦距范围 | 5-500mm |
| 视场角 | 最高±120° |
| MTF轴上 | 精度<1%* - 重复性<0.5%* |
| MTF离轴 | 精度<2%** - 重复性<1%** |
| MTF准确度 | LWIR±0.02, MWIR±0.03, SWIR±0.01, 可见±0.02 |
| MTF可重复性 | LWIR±0.015, MWIR±0.015, SWIR±0.01, 可见±0.01 |
| 失真 | 精度<0.5% - 重复性<0.05% |
| 场曲率 | 精度<5μm - 重复性<1μm |
| OPD(光程差)轴上 | 精度20 nm RMS – 重复性<5 nm RMS |
Phasics Kaleo MultiWAVE多波长干涉仪Phasics
评分 0 / 5
In stock
| 光学设置 | 双通 |
|---|---|
| 工作波长 | 1050nm, 400-1100nm, 625nm, 780nm |
| 光学孔径 | 5.1″ (130 mm) |
| 重复性(ISO 5725) | <5 nm RMS |
| 再现性(ISO 5725) | <7 nm RMS |
| 动态范围(散焦) | TWE 200nm RMS |
| 精度(RWE) | <80 nm RMS |
| 精度(TWE) | <20 nm RMS |
| 尺寸 | 910mm×600mm×260 mm |
Phasics波前传感器SID4-SC8Phasics
评分 0 / 5
In stock
| 相机类型 | sCMOS |
|---|---|
| 工作波长 | 450-1000nm |
| 通光孔径 | 16.6 ×14.0 mm² |
| 空间分辨率 | 19.5 μm |
| 采样点 | 852×720 |
| 精度 | <1 nm RMS |
| 采样频率 | 40 fps |
| 处理频率 | 直到15Hz(全分辨率) |
| 接口 | USB 3.0 |
| 尺寸 | 140mm×82mm×80mm |
Phasics波前传感器SID4Phasics
评分 0 / 5
In stock
| 型号 | SID4 UV, SID4 UV-HR, SID4, SID4 HR, SID4-sC8, SID4 NIR, SID4 SWIR, SID4 SWIR-HR, SID4-eSWIR, SID4 DWIR, SID4 LWIR, SID4 V Vacuum |
|---|---|
| 工作波长 | 0.9-1.7μm, 1.0-2.35μm, 3-5μm, 8-14μm, 250-400nm, 190-400nm, 400-1100nm, 450-1000nm, 1.5-1.6μm |
| 孔径 | 7.4×7.4mm2(SID4 UV), 8.0×8.0mm2(SID4 UV-HR), 3.6×4.8mm2(SID4), 8.9×11.8mm2(SID4 HR), 16.6×14.0mm2(SID4-sC8), 3.6×4.8mm2(SID4 NIR), 7.68×9.60mm2(SID4 SWIR), 7.68×9.60mm2(SID4 SWIR-HR), 9.60×7.68mm2(SID4-eSWIR), 8.16×19.88mm2(SID4 DWIR), 12×16mm2(SID4 LWIR), 3.55×4.73mm2(SID4 V Vacuum) |
| 空间分辨 | 29.6μm(SID4 UV), 32μm(SID4 UV-HR), 29.6μm(SID4), 29.6μm(SID4 HR), 19.5μm(SID4-sC8), 29.6μm(SID4 NIR), 120μm(SID4 SWIR), 60μm(SID4 SWIR-HR), 120μm(SID4-eSWIR), 88μm(SID4 DWIR), 100μm(SID4 LWIR), 29.6μm(SID4 V Vacuum) |
| 采样点 | 250×250(SID4 UV), 250×250(SID4 UV-HR), 120×160(SID4), 300×400(SID4 HR), 852×720(SID4-sC8), 120×160(SID4 NIR), 64×80(SID4 SWIR), 128×160(SID4 SWIR-HR), 80×64(SID4-eSWIR), 120×160(SID4 DWIR), 120×160(SID4 LWIR), 120×160(SID4 V Vacuum) |
| 精度/绝对精度 | 10nm RMS(SID4 UV), 10nm RMS(SID4 UV-HR), 10nm RMS(SID4), 15nm RMS(SID4 HR), 10nm RMS(SID4-sC8), 15nm RMS(SID4 NIR), 15nm RMS(SID4 SWIR), 15nm RMS(SID4 SWIR-HR), 6nm RMS(SID4-eSWIR), 75nm RMS(SID4 DWIR), 75nm RMS(SID4 LWIR), 15nm RMS(SID4 V Vacuum) |
| 分辨率/灵敏度 | 2nm RMS(SID4 UV), 0.5nm RMS(SID4 UV-HR), 2nm RMS(SID4), 2nm RMS(SID4 HR), 1nm RMS(SID4-sC8), 11nm RMS(SID4 NIR), 2nm RMS(SID4 SWIR), 2nm RMS(SID4 SWIR-HR), 40nm RMS(SID4-eSWIR), 25nm RMS(SID4 DWIR), 25nm RMS(SID4 LWIR), 2nm RMS(SID4 V Vacuum) |
| 动态范围 | 500μm(SID4 HR), 100μm(其余) |
| 采样频率 | 30fps(SID4 UV), 30fps(SID4 UV-HR), 60fps(SID4), 10fps(SID4 HR), 40fps(SID4-sC8), 60fps(SID4 NIR), 120fps(SID4 SWIR), 120fps(SID4 SWIR-HR), 60fps(SID4-eSWIR), 50fps(SID4 DWIR), 24fps(SID4 LWIR), 60fps(SID4 V Vacuum) |
| 真空适配性 | > 10-6 mbar |
| 数值孔径 | 0.2 |
| MTBF | >10年 |
Phasics生物显微定量相位成像波前传感器SID4-BioPhasics
评分 0 / 5
In stock
| 型号 | SID4Bio, SID4 Element, SID4-sC8 |
|---|---|
| 工作波长 | 400-1100nm, 450-1000nm, 400-800nm |
| 放大倍率(SID4Bio) | 10x to 200x |
| 光圈尺寸 | 8.9×11.8 mm2(SID4Bio), 16.6×14.0 mm2(SID4B-sC8) |
| 横向分辨率 | 取决于放大倍数 相位图像低于0.2μm(SID4Bio), 10 µm 1× (SID4 Element) |
| 分辨率 | < 1 nm RMS(SID4Bio,SID4-sC8), < 2 nm RMS ,直到 0.1 nm(SID4 Element) |
| 干质量分辨率(SID4Bio) | <0.5 pg |
| 采样率 | 直到10Hz(SID4Bio), 直到 200Hz(SID4 Element) |
| 显微镜接口(SID4Bio,SID4 Element) | C 型接口 |
| 尺寸 | 54mm×46mm×79 mm, 140mm×82mm×80mm |
| 重量 | ~0.25kg |
| 视场范围(SID4 Element) | 8.53×7.20 mm |
| 成像大小(SID4 Element) | 853×720pixels |
| 相机插口(SID4 Element) | C型接口, USB 3.0 |
| 传感器类型(SID4-sC8) | sCMOS |
| 空间相位分辨率(SID4-sC8) | 19.5 μm |
| 相位强度采样(SID4-sC8) | 852×720 |
| 采样频率(SID4-sC8) | 40 fps |
| 实时处理频率(SID4-sC8) | 直到15Hz(全分辨率) |
| 连接(SID4-sC8) | USB 3.0 |
Phasics超高真空度适用波前传感器SID4-VPhasics
评分 0 / 5
In stock
| 真空兼容性 | > 10 -6 mbar |
|---|---|
| 工作波长 | 400-1100nm |
| 光圈尺寸 | 4.73×3.55 mm2 |
| 数值孔径 | 0.2 |
| 空间分辨率 | 29.6 µm |
| 相位和强度采样点 | 160×120 |
| 精度 | 15 nm RMS |
| 分辨率 | 2 nm RMS |
| 采样频率 | 60 fps |
| 实时处理频率 | 7 Hz(全分辨率) |
| 接口 | 千兆以太网 |
| MTBF | > 10年 |
| 尺寸 | 54mm×46mm×75.3mm |
| 重量 | ~0.25kg |











