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光伏及半导体研发测试,针对光伏、半导体材料与芯片进行光电参数、微观结构、可靠性检测,服务新材料研发、工艺迭代与产品性能验证。

光伏及半导体研发测试

电化学ECV 扩散浓度

接触电阻

少子寿命

四点探针

CDE ResMap 四点探针 (ResMap 178)4探针测试系统(电阻率,面电阻)

In stock

晶圆2‘’-6‘’
量测头2~4个
量测单元最多扩充3个
探针材质碳化钨
探针压力100gm~200gm
数据搜集每点高达4000笔
数据接口Semi标准接口
重量0.178kg

FPS-300闪光电源

In stock

充电时间3秒(QSS)或1秒(瞬态)
闪光模式LO和HI(200W和400W,用于BCT-400 / BLS-I)
定制设计WCT-120, SunsVoc, BCT-400, BLS-I
软件版本WCT-120:4.6.0或更新版本, SunsVoc:4.6.0或更新, BCT-400 / BLS-I:4.5.1或更新

ResMap 168

In stock

晶圆2″ – 8″(手动), 4″ – 8″(自动)

ResMap 273

In stock

晶圆2” – 12”
晶片传送手动加载
最大直径12.2”
最大面积8.6”× 8.6”
典型测量时间1秒每site
最大输出每个晶片1分(29sites)
测量范围2 mΩ/□ – 5 MΩ/□(可以优化为1 mΩ/□)
重复率 (1σ, 典型): ≤ ±0.02%
准确度≤ ±0.5%采用NIST可追溯性ResCal标准
最低周边除外范围1.5毫米(探针中心到膜边缘距离)
电脑系统奔腾系列, windows XP家用(不带显示)
SECS-II 选项有
映照模式极投影地图(对准缺口/平形,跨越,或者持平), 矩形图(选择内侧边缘排除), 线扫描(直径,半径或沿直径任意点,最小步进0.1毫米点), 用户自定义(模板)
平面图等高线(间距选择,1/3σ,固定和自动%),3D,线,数据图,直方图,数据序列,径向和角分布,趋势图的不同模式可供选择
数据所有ResMap数据文件可以复制到如Excel®进行进一步的分析。
中央吸尘系统不要求真空
交流功率100V to 240V < 10 KVA
尺寸18”×15”×10”

ResMap 463-FOUP

In stock

晶圆300mm, 200mm
‌测量范围1mΩ/□~10mΩ/□
测量精度±0.5%
静态重复精度0.02%

SBS-150 少子寿命

In stock

可测量少子寿命1-5ms
重量1kg

WEP电化学ECV掺杂浓度检测CVP21

In stock

载流子浓度测量范围1011/cm3~1021/cm3 
深度分辨率低至1nm

四探针 四点探针 四探针测试仪 四探针太阳能硅片电阻率测试仪

In stock

尖端半径0.25毫米
10×10地图的持续时间4分钟
最大测试电流30 mA
重量16kg
尺寸36cm×48cm×24cm