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光伏及半导体研发测试

少子寿命测试仪 WCT-120测试硅片

In stock

测量原理QSSPC(准稳态光电导)
少子寿命测量范围100 ns-10 ms
测试模式QSSPC,瞬态,寿命归一化分析
电阻率测量范围3–600 (undoped) Ohms/sq.
注入范围1013-1016cm-3
感测器范围直径40-mm
标准直径40–210 mm(或更小尺寸)
硅片厚度范围10–2000μm
工作温度20°C–25°C
功率测试仪: 40 W ,电脑控制器:200W ,光源:60W;
通用电源电压100–240 VAC 50/60 Hz
重量1kg

少子寿命测量仪 BCT-400测试硅锭

In stock

可以测量的样品的表面类型表面为平的硅块样品(BCT-400), 表面不平整的硅块样品(BLS-I), 不平整弧度的直径可达150mm
重复频率>25次/s
脉冲宽度>60μs
光脉冲关断时间<1μs
工作波长
脉冲电流5A~20A
可测量的少子寿命范围0.1μs-10ms
可测量的电阻率范围0.5-300ohm.cm
可施加的用于修正陷阱的偏执光范围0-50suns
光源光谱白光和红外光
感应器的面积45cm×45cm
可测量深度3mm