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LETO-720 Fast LCOS Spatial Light Modulator
In stock
| 显示类型 | 反射型硅基液晶（纯相位调制） |
|---|---|
| 工作波长 | 420 – 650 nm可见光 (VIS) |
| 像素间距 | 6.4 µm |
| 填充因子 | 93 % |
| 有效工作区域 | 12.29 × 6.91 mm（对角线0.55 英寸） |
| 寻址位数 | 8 位（256 个灰度等级） |
| 信号格式 | HDMI 接口 — HDTV 分辨率 |
| 输入帧率 | 240 Hz |
| 显示更新速率 | 240 Hz, 720 Hz (RGB编码) |
| 分辨率 | 62-72 % |
| 最大相移 | 2.2 π @ 633 nm |
Lumicks C-Trap光镊 – 荧光和无标记显微镜
In stock
| 型号 | C-Trap Dymo, C-Trap Edge |
|---|---|
| 力分辨率(x,y) | < 0.1 pN @100 Hz |
| 力稳定性(x,y) | < 0.3 pN 超过2min |
| 力采样频率 | 78 kHz |
| 双陷阱模式下最大逃逸力(x,y) | > 1000 pN (4.5 μm 聚苯乙烯小球) |
| 位移分辨率（力信号） | < 0.3 @100 Hz |
| 位移分辨率（实时亮场） | < 3 nm @100 Hz |
| 最小增量步长 | 0.5 nm |
| 运动范围 | 50 μm×50 μm×9 μm |
| 独立陷阱数量 | 1-2, 1-4 |
| 共聚焦显微镜分辨率(C-Trap Dymo) | 衍射限制 |
| 1D STED显微镜分辨率(C-Trap Dymo) | < 35 nm |
| 荧光点位置精度(C-Trap Dymo) | < 5 nm |
| 定位精度(C-Trap Dymo) | < 15 nm |
| 扫描速度(C-Trap Dymo) | 高达100Hz |
| 灵敏度(C-Trap Dymo) | 单荧光团检测优化 |
| 暗计数(C-Trap Dymo) | 停留时间内每像素光子数< 0.025（通常为0.1毫秒） |
| 背景杂光抑制(C-Trap Dymo) | 100 nm（1 ms 积分时间） |
| 荧光光子测量时间精度(C-Trap Dymo) | 10ns |
| 视场范围(C-Trap Dymo) | 50 μm×35 μm |
| 共焦显微镜可观测颜色数(C-Trap Dymo,默认：488 nm、561 nm、638 nm) | 1或3（Dymo 300, 400w, 400, 700） |
| 微流控技术（Microfluidics,C-Trap Dymo） | 先进的微流体与自动阀门 |
| 绝对温度精度(C-Trap Dymo) | 0.2°C |
| 温度控制稳定性(C-Trap Dymo) | 0.05°C |
| 温度控制范围(C-Trap Dymo) | 房间温度最高45°C |
| 力分辨率（z,C-Trap Dymo） | < 0.1 pN @100 Hz |
| 力稳定性（z,C-Trap Dymo） | < 0.3 pN 超过2min |
| 表面分析工具包(C-Trap Dymo) | 纳米级测量，近表面力校准，高度测定 |
| 陷阱深度（x,y）(C-Trap Dymo) | < 0.1 nm 飘移 |
| 短链分析(C-Trap Dymo) | 纳米级主动校准，短链压电跟踪，基线校正 |
| 宽视野和全反射荧光显微镜分辨率(C-Trap Edge) | 衍射限制 |
| 全反射荧光显微镜色彩数(C-Trap Edge) | 1-3 |
| 宽视野显微镜色彩数(C-Trap Edge) | 1-3 |
| IRM分辨率(C-Trap Edge) | 衍射限制 |
| 像素尺寸(C-Trap Edge) | ~77 |
| 全视场相机帧率(C-Trap Edge) | >25Hz |
| 视场大小(C-Trap Edge) | 25μm× 25μm |
| 微流控技术（Microfluidics,C-Trap Edge) | 先进的微流体与自动阀门 |
| 绝对温度精度(C-Trap Edge) | 0.2°C |
| 温度控制稳定性(C-Trap Edge) | 0.05°C |
| 温度控制范围(C-Trap Edge) | 房间温度最高45°C |
| 表面分析套件(C-Trap Edge) | 纳米级测量，近表面力校准，高度测定 |
| 表面稳定性(z，C-Trap Edge) | < 0.3 pN 超过2min |
| 陷阱深度（x,y，C-Trap Edge) | < 0.1 nm drift over 10 minutes |
| 短链分析(C-Trap Edge) | 主动校准，短链压电跟踪，基线校正 |
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LUNA Phase Only Spatial Light Modulator
In stock
| 型号 | LUNA-VIS-111, LUNA-NIR-147, LUNA-TELCO-115 |
|---|---|
| 工作波长 | 680-1100nm, 420 – 650 nm可见光 (VIS), 1400 – 1700 nm |
| 显示类型 | 反射型硅基液晶（纯相位调制） |
| 分辨率 | 1920 × 1080 |
| 像素间距 | 4.5 µm |
| 填充因子 | 91 % |
| 有效工作区域 | 8.64 x 4.86 mm (对角0.39″ ) |
| 寻址位数 | 8 位（256 个灰度等级） |
| 信号格式 | 显示接口— HDTV 分辨率 |
| 输入帧率 | 60Hz |
| 反射率 | 64 %(LUNA-VIS-111), 65 %(LUNA-NIR-147), 70 %(LUNA-TELCO-115) |
| 最大相移 | 4.3 π @ 450 nm,3.2 π @ 520 nm,2.4 π @ 635 nm(LUNA-VIS-111), 3.3 π @ 800 nm,2.3 π @ 1064 nm(LUNA-NIR-147), 2.3 π @ 1550 nm(LUNA-TELCO-115) |
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Phasics Kaleo MTF测试平台Phasics
In stock
| 光学设置 | 有限到无限配置 |
|---|---|
| 工作波长 | 400-1100nm, 3-5μm, 8-14μm, 900-1700nm |
| 入瞳直径 | 8.8mm |
| F# | >1.8mm |
| 法兰焦距 | 8-30mm |
| 焦距范围 | 5-500mm |
| 视场角 | 最高±120° |
| MTF轴上 | 精度<1％* - 重复性<0.5％* |
| MTF离轴 | 精度<2％** - 重复性<1％** |
| MTF准确度 | LWIR±0.02, MWIR±0.03, SWIR±0.01, 可见±0.02 |
| MTF可重复性 | LWIR±0.015, MWIR±0.015, SWIR±0.01, 可见±0.01 |
| 失真 | 精度<0.5％ - 重复性<0.05％ |
| 场曲率 | 精度<5μm - 重复性<1μm |
| OPD（光程差）轴上 | 精度20 nm RMS – 重复性<5 nm RMS |
Phasics Kaleo MultiWAVE多波长干涉仪Phasics
In stock
| 光学设置 | 双通 |
|---|---|
| 工作波长 | 400-1100nm, 625nm, 780nm, 1050nm |
| 光学孔径 | 5.1″ (130 mm) |
| 重复性（ISO 5725） | <5 nm RMS |
| 再现性（ISO 5725） | <7 nm RMS |
| 动态范围（散焦） | TWE 200nm RMS |
| 精度(RWE) | <80 nm RMS |
| 精度(TWE) | <20 nm RMS |
| 尺寸 | 910mm×600mm×260 mm |
Phasics波前传感器SID4-SC8Phasics
In stock
| 相机类型 | sCMOS |
|---|---|
| 工作波长 | 450-1000nm |
| 通光孔径 | 16.6 ×14.0 mm² |
| 空间分辨率 | 19.5 μm |
| 采样点 | 852×720 |
| 精度 | <1 nm RMS |
| 采样频率 | 40 fps |
| 处理频率 | 直到15Hz(全分辨率) |
| 接口 | USB 3.0 |
| 尺寸 | 140mm×82mm×80mm |
Phasics波前传感器SID4Phasics
In stock
| 型号 | SID4 UV, SID4 UV-HR, SID4, SID4 HR, SID4-sC8, SID4 NIR, SID4 SWIR, SID4 SWIR-HR, SID4-eSWIR, SID4 DWIR, SID4 LWIR, SID4 V Vacuum |
|---|---|
| 工作波长 | 1.0-2.35μm, 3-5μm, 8-14μm, 250-400nm, 190-400nm, 400-1100nm, 450-1000nm, 1.5-1.6μm, 0.9-1.7μm |
| 孔径 | 7.4×7.4mm2(SID4 UV), 8.0×8.0mm2(SID4 UV-HR), 3.6×4.8mm2(SID4), 8.9×11.8mm2(SID4 HR), 16.6×14.0mm2(SID4-sC8), 3.6×4.8mm2(SID4 NIR), 7.68×9.60mm2(SID4 SWIR), 7.68×9.60mm2(SID4 SWIR-HR), 9.60×7.68mm2(SID4-eSWIR), 8.16×19.88mm2(SID4 DWIR), 12×16mm2(SID4 LWIR), 3.55×4.73mm2(SID4 V Vacuum) |
| 空间分辨 | 29.6μm(SID4 UV), 32μm(SID4 UV-HR), 29.6μm(SID4), 29.6μm(SID4 HR), 19.5μm(SID4-sC8), 29.6μm(SID4 NIR), 120μm(SID4 SWIR), 60μm(SID4 SWIR-HR), 120μm(SID4-eSWIR), 88μm(SID4 DWIR), 100μm(SID4 LWIR), 29.6μm(SID4 V Vacuum) |
| 采样点 | 250×250(SID4 UV), 250×250(SID4 UV-HR), 120×160(SID4), 300×400(SID4 HR), 852×720(SID4-sC8), 120×160(SID4 NIR), 64×80(SID4 SWIR), 128×160(SID4 SWIR-HR), 80×64(SID4-eSWIR), 120×160(SID4 DWIR), 120×160(SID4 LWIR), 120×160(SID4 V Vacuum) |
| 精度/绝对精度 | 10nm RMS(SID4 UV), 10nm RMS(SID4 UV-HR), 10nm RMS(SID4), 15nm RMS(SID4 HR), 10nm RMS(SID4-sC8), 15nm RMS(SID4 NIR), 15nm RMS(SID4 SWIR), 15nm RMS(SID4 SWIR-HR), 6nm RMS(SID4-eSWIR), 75nm RMS(SID4 DWIR), 75nm RMS(SID4 LWIR), 15nm RMS(SID4 V Vacuum) |
| 分辨率/灵敏度 | 2nm RMS(SID4 UV), 0.5nm RMS(SID4 UV-HR), 2nm RMS(SID4), 2nm RMS(SID4 HR), 1nm RMS(SID4-sC8), 11nm RMS(SID4 NIR), 2nm RMS(SID4 SWIR), 2nm RMS(SID4 SWIR-HR), 40nm RMS(SID4-eSWIR), 25nm RMS(SID4 DWIR), 25nm RMS(SID4 LWIR), 2nm RMS(SID4 V Vacuum) |
| 动态范围 | 500μm(SID4 HR), 100μm(其余) |
| 采样频率 | 30fps(SID4 UV), 30fps(SID4 UV-HR), 60fps(SID4), 10fps(SID4 HR), 40fps(SID4-sC8), 60fps(SID4 NIR), 120fps(SID4 SWIR), 120fps(SID4 SWIR-HR), 60fps(SID4-eSWIR), 50fps(SID4 DWIR), 24fps(SID4 LWIR), 60fps(SID4 V Vacuum) |
| 真空适配性 | > 10-6 mbar |
| 数值孔径 | 0.2 |
| MTBF | >10年 |
